Samsung, sektörün ilk 10nm sınıfı 8 gigabit DDR4 DRAM yongası için seri üretime geçtiklerini duyurdu. Yeni çipler öncekilere oranla yüzde 30 daha hızlı ve yüzde 20 daha verimli çalışıyor.

D-RAM-Group_002_Front_Green_706-samsung-ram

Samsung dünyanın ilk 10 nanometre 8 gigabit DRAM yongaları için seri üretime geçtiklerini duyurdu. Şirket yeni nesil çiplerin öncekilere oranla yüzde 30 daha hızlı ve yüzde 20 daha verimli olduklarını belirtiyor. Yeni bellek yongaları Samsung’un 2014 yılından bu yana kullandığı 20 nanometre sürümünden çok daha küçük olan 10 nanometre üretim tekniğini kullanıyor.

Samsung yüzde 10 ila 20 oranında daha az güç kullanan yeni çiplerin, saniyede 3.200 megabit veri aktarım hızını desteklediğini ifade ediyor. Bu da 2.400Mbps kapasiteli 20 nanometre yongalardan yüzde 30 oranında daha hızlı oldukları anlamına gelir.

DRAM yongalarında Samsung’un büyük rakipleri, SK Hynix ve Micron Technology, şirketin gerisinde kalmış durumdalar. SK Hynix 18 nm DRAM yongalarını en erken önümüzdeki yıl pazara sunma planları yaparken, Micron, geçen yıl 16nm yongaları ile Samsung’la arasındaki uçurumu kapatmak istediğini söyledi.

Yeni 10nm sınıfı DDR4 DRAM modülleri, dizüstü bilgisayarlar için 4GB’dan kurumsal sunucular için 128GB’a kadar değişen bir aralıkta sunulacak. Akıllı telefonlar için ise önümüzdeki aylarda mevcut olması bekleniyor. Yeni yongaları büyük ihtimalle gelecek sene piyasaya sürülecek amiral gemilerinde görebileceğiz.

Kaynak: Donanımhaber